بدأت شركة ” سامسونج ” الكورية الجنوبية عملية إنتاج ضخمة للجيل الثاني من ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة ” رام ” المستخدم فيها تقنية 10 نانومتر، نهاية عام 2017.

وتسمح التقنية في إنتاج ذاكرة وصول عشوائي ” رام ” بسعة 8 جيجابايت، علاوة على أنها ستمكن من إنتاج ذاكرات أسرع وأقوى كفاءة بنحو 10%، وتوفر في استهلاك الطاقة بنحو 15%، عن الأجيال السابقة.

وتعمل الذاكرة الجديدة بسرعة تصل إلى 3600 ميجابت في الثانية، مقارنة بـ3200 ميجابت في الثانية عن النسخ السابقة.

وصول عشوائي

” سامسونج ” تستخدم تقنية جديدة لإنتاج ذاكرة بسعة 8 جيجابايت

أخر الأخبار